Справочник MOSFET. 2SK1618L

 

2SK1618L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1618L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: LDPAK
 

 Аналог (замена) для 2SK1618L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1618L Datasheet (PDF)

 7.1. Size:34K  hitachi
2sk1618.pdfpdf_icon

2SK1618L

2SK1618(L), 2SK1618(S)Silicon N-Channel MOS FETApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converterOutlineLDPAK44123123DG1. Gate2. Drain3. SourceS4. Drain2SK1618(L), 2SK1618(S)Absolute Maximum Rating

 8.1. Size:366K  toshiba
2sk161.pdfpdf_icon

2SK1618L

2SK161 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK161 FM Tuner Applications Unit: mm VHF Band Amplifier Applications Low noise figure: NF = 2.5dB (typ.) (f = 100 MHz) High forward transfer admittance: |Y | = 9 mS (typ.) fs Extremely low reverse transfer capacitance: C = 0.1 pF (typ.) rssMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteris

 8.2. Size:36K  panasonic
2sk1614.pdfpdf_icon

2SK1618L

Power F-MOS FETs 2SK16142SK1614Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features15.0 0.5 4.5 0.2High avalanche energy capability13.0 0.5 10.5 0.5 2.0 0.1VGSS, 30V guaranteedLow RDS(on), high-speed switching characteristic3.2 0.1 ApplicationsHigh-speed switching (switching mode regulator)2.0 0.2For high-frequency power amplification1.4 0.31.1 0

 8.3. Size:36K  panasonic
2sk1613.pdfpdf_icon

2SK1618L

Power F-MOS FETs 2SK16132SK1613Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features15.0 0.5 4.5 0.2High avalanche energy capability13.0 0.5 10.5 0.5 2.0 0.1VGSS : 30V guaranteedLow RDS(on), high-speed switching characteristic3.2 0.1 ApplicationsHigh-speed switching (switching mode regulator)2.0 0.2For high-frequency power amplification1.4 0.31.1

Другие MOSFET... 2SK1531 , 2SK1540L , 2SK1540S , 2SK1566 , 2SK1567 , 2SK1579 , 2SK161 , 2SK1611 , P55NF06 , 2SK1618S , 2SK1620S , 2SK1620L , 2SK1628 , 2SK1636L , 2SK1636S , 2SK1667 , 2SK1668 .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7

 

 
Back to Top

 


 
.