Справочник MOSFET. 2SK2975

 

2SK2975 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK2975
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: NO

 Аналог (замена) для 2SK2975

 

 

2SK2975 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:164K  toshiba
 2sk2972.pdf

2SK2975 2SK2975

 8.2. Size:108K  sanyo
 2sk2976.pdf

2SK2975 2SK2975

Ordering number:ENN6003N-Channel Silicon MOSFET2SK2976DC-DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V drive.2083B[2SK2976]6.52.35.00.540.850.71.20.60.51 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source4 : Drain2.3 2.3SANYO : TP2092B[2SK2976]6.5 2.35.0 0.540.50.851 2 30.61.21 : Gate0 to 0.22 :

 8.3. Size:42K  sanyo
 2sk2977 2sk2977ls.pdf

2SK2975 2SK2975

Ordering number:ENN6423N-Channel Silicon MOSFET2SK2977LSDC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V drive.2078B[2SK2977LS]4.510.02.83.20.91.21.20.70.751 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO220FI-LSSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions Rating

 8.4. Size:45K  hitachi
 2sk2978.pdf

2SK2975 2SK2975

2SK2978Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-659B (Z)3rd. EditionJun 1998Features Low on-resistanceRDS(on) = 0.09 typ. (VGS = 4 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5V gate drive devices.OutlineUPAK123D4G1. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK2978Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)Item

 8.5. Size:279K  inchange semiconductor
 2sk2977ls.pdf

2SK2975 2SK2975

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2977LSFEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 22m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top