FK10KM-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FK10KM-10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.13 Ohm

Тип корпуса: TO220FN

Аналог (замена) для FK10KM-10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FK10KM-10 даташит

No data!

Другие IGBT... FDS9936A, FDT439N, FDT457N, FDT459N, FDV301N, FDV302P, FDV303N, FDV304P, RFP50N06, FK10KM-12, FK10KM-9, FK10SM-10, FK10SM-12, FK10SM-9, FK10UM-10, FK10UM-12, FK10UM-9