Справочник MOSFET. AP0504GMT-HF

 

AP0504GMT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP0504GMT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP0504GMT-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0504GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
ap0504gmt-hf.pdfpdf_icon

AP0504GMT-HF

AP0504GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5.5m Low On-resistance ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switchin

 5.1. Size:142K  ape
ap0504gmt.pdfpdf_icon

AP0504GMT-HF

AP0504GMT-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5.5m Low On-resistance ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDAP0504 series are from Advanced Power inno

 5.2. Size:959K  cn vbsemi
ap0504gmt.pdfpdf_icon

AP0504GMT-HF

AP0504GMTwww.VBsemi.twN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0050 at VGS = 10 V 70APPLICATIONS40 67 nC0.0060 at VGS = 4.5 V 65 Notebook PC Core VRM/POLDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETA

 7.1. Size:93K  ape
ap0504gh-hf.pdfpdf_icon

AP0504GMT-HF

AP0504GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6.3m Fast Switching Characteristic ID 66AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,

Другие MOSFET... 2SK322 , 2SK3230B , 2SK324 , 2SK3280 , 2SK3283 , 2SK3284 , AP0503GMT-HF , AP0504GH-HF , 4N60 , AP05N20GH-HF , AP05N20GI-HF , AP05N20GJ-HF , AP05N50EH-HF , AP05N50EI-HF , AP05N50EJ-HF , AP05N50H-HF , AP05N50I .

History: WML13N50D1B | CEP12N6 | MDF2N60TH | SIHF610 | STWA40N90K5 | IXFK48N55 | IRLB3034

 

 
Back to Top

 


 
.