AP0504GMT-HF - описание и поиск аналогов

 

AP0504GMT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP0504GMT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP0504GMT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0504GMT-HF даташит

 ..1. Size:94K  ape
ap0504gmt-hf.pdfpdf_icon

AP0504GMT-HF

AP0504GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5.5m Low On-resistance ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switchin

 5.1. Size:142K  ape
ap0504gmt.pdfpdf_icon

AP0504GMT-HF

AP0504GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5.5m Low On-resistance ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description D AP0504 series are from Advanced Power inno

 5.2. Size:959K  cn vbsemi
ap0504gmt.pdfpdf_icon

AP0504GMT-HF

AP0504GMT www.VBsemi.tw N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0050 at VGS = 10 V 70 APPLICATIONS 40 67 nC 0.0060 at VGS = 4.5 V 65 Notebook PC Core VRM/POL D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 3 6 G 4 5 PIN1 S N-Channel MOSFET A

 7.1. Size:93K  ape
ap0504gh-hf.pdfpdf_icon

AP0504GMT-HF

AP0504GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6.3m Fast Switching Characteristic ID 66A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching,

Другие MOSFET... 2SK322 , 2SK3230B , 2SK324 , 2SK3280 , 2SK3283 , 2SK3284 , AP0503GMT-HF , AP0504GH-HF , 12N60 , AP05N20GH-HF , AP05N20GI-HF , AP05N20GJ-HF , AP05N50EH-HF , AP05N50EI-HF , AP05N50EJ-HF , AP05N50H-HF , AP05N50I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.