Справочник MOSFET. AP0603GH-HF

 

AP0603GH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP0603GH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0603GH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap0603gh-hf.pdf pdf_icon

AP0603GH-HF

AP0603GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 72AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GD

 6.1. Size:193K  ape
 ap0603gh.pdf pdf_icon

AP0603GH-HF

AP0603GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 72AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP0603 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest poss

 7.1. Size:216K  ape
 ap0603gm.pdf pdf_icon

AP0603GH-HF

AP0603GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6mD Fast Switching Characteristic ID 16.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP0603 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology

 7.2. Size:94K  ape
 ap0603gm-hf.pdf pdf_icon

AP0603GH-HF

AP0603GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6mD Fast Switching Characteristic ID 16.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.