FK10VS-9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FK10VS-9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.92 Ohm

Тип корпуса: TO220S

Аналог (замена) для FK10VS-9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FK10VS-9 даташит

No data!

Другие IGBT... FK10SM-10, FK10SM-12, FK10SM-9, FK10UM-10, FK10UM-12, FK10UM-9, FK10VS-10, FK10VS-12, P60NF06, FK14KM-10, FK14KM-9, FK14SM-10, FK14SM-12, FK14SM-9, FK14UM-10, FK14UM-9, FK14VS-10