AP0903GM-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP0903GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP0903GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0903GM-HF даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap0903gm-hf.pdf pdf_icon

AP0903GM-HF

AP0903GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.5m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 6.1. Size:168K  ape
 ap0903gm.pdf pdf_icon

AP0903GM-HF

AP0903GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.5m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP0903 series are from

 7.1. Size:95K  ape
 ap0903gyt-hf.pdf pdf_icon

AP0903GM-HF

AP0903GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Good Thermal Dissipation RDS(ON) 9m Low On-resistance ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 7.2. Size:111K  ape
 ap0903gyt.pdf pdf_icon

AP0903GM-HF

AP0903GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Good Thermal Dissipation RDS(ON) 9m Low On-resistance ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP0704GMT-HF, AP07N70CI-H, AP0803GMP-HF, AP0803GMT-HF, AP08N60I-HF, AP08P20GP-HF, AP08P20GS-HF, AP0903GH-HF, 18N50, AP0903GYT-HF, AP0904GH-HF, AP0904GJB-HF, AP0904GJ-HF, AP0904GMT-HF, AP0904GYT-HF, AP09N20BGH-HF, AP09N20BGI-HF