AP0904GYT-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP0904GYT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

Аналог (замена) для AP0904GYT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0904GYT-HF даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap0904gyt-hf.pdf pdf_icon

AP0904GYT-HF

AP0904GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 11.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13.5A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D designer with the best combination of fast switching, ruggedized device d

 7.1. Size:106K  ape
 ap0904gh-hf ap0904gj-hf.pdf pdf_icon

AP0904GYT-HF

AP0904GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID 51A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast

 7.2. Size:193K  ape
 ap0904gh.pdf pdf_icon

AP0904GYT-HF

AP0904GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID 51A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP0904 series are from Advanced Power innovated design and D S TO-252(H) silicon process technology to ac

 7.3. Size:97K  ape
 ap0904gp-hf.pdf pdf_icon

AP0904GYT-HF

AP0904GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m Fast Switching Characteristic ID 46A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP0904 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP08P20GS-HF, AP0903GH-HF, AP0903GM-HF, AP0903GYT-HF, AP0904GH-HF, AP0904GJB-HF, AP0904GJ-HF, AP0904GMT-HF, 2N60, AP09N20BGH-HF, AP09N20BGI-HF, AP09N20BGP-HF, AP09N20H-HF, AP09N20J-HF, AP09N50I, AP09N50I-HF, AP09N50P-HF