Справочник MOSFET. AP09T10GK-HF

 

AP09T10GK-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP09T10GK-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SO223
 

 Аналог (замена) для AP09T10GK-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP09T10GK-HF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:38K  ape
 ap09t10gk-hf-pre.pdf pdf_icon

AP09T10GK-HF

AP09T10GK-HFPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Chage RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID 2.4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theSThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

 5.1. Size:165K  ape
 ap09t10gk.pdf pdf_icon

AP09T10GK-HF

AP09T10GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID 2.1AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switchin

 6.1. Size:48K  ape
 ap09t10gh-hf.pdf pdf_icon

AP09T10GK-HF

AP09T10GH-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID 4.4AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provi

 6.2. Size:48K  ape
 ap09t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP09T10GK-HF

AP09T10GP-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID 4.4AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP09N70R-H , AP09N70P-H , AP09N70P-A , AP09N70R , AP09N70R-A-HF , AP09N90CW-HF , AP09N90W , AP09T10GH-HF , HY1906P , AP09T10GP-HF , AP1001BSQ , AP1002BMX , AP10N60W , AP10N70I-A-HF , AP10N70P , AP10N70P-A , AP10N70R-A .

History: BFC48 | NUS5531MT | STH75N06

 

 
Back to Top

 


 
.