2SK3287 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK3287  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 600 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.26 Ohm

Тип корпуса: MPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SK3287

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3287 даташит

 ..1. Size:57K  renesas
2sk3287.pdfpdf_icon

2SK3287

To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog and discrete devices, and memory chips other than DRAM

 8.1. Size:48K  sanyo
2sk3285.pdfpdf_icon

2SK3287

Ordering number ENN6358 N-Channel Silicon MOSFET 2SK3285 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm 4V drive. 2093A [2SK3285] 4.5 10.2 1.3 1.2 0.8 0.4 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO SMP unit mm 2169 [2SK3285] 4.5 10.2 1.3 1 2 3 1.2 0.8 2.55 2.55 0.4 1 Gate 2 Drain 3 Source 2.55 2.55

 8.2. Size:34K  sanyo
2sk3284.pdfpdf_icon

2SK3287

Ordering number ENA0168 2SK3284 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SK3284 Applications Features Low ON-resistance. Low Qg. Ultrahigh-speed switching. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 400 V Gate-to-Source Voltage VGSS 30 V Drain Current (DC) ID 10 A Dra

 8.3. Size:23K  sanyo
2sk3283.pdfpdf_icon

2SK3287

Ordering number ENN6600 2SK3283 N-Channel Silicon MOSFET 2SK3283 Load S/W Applications Preliminary Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm 4V-drive. 2083B [2SK3283] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 4 Drain 2.3 2.3 SANYO TP unit mm 2092B [2SK3283] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.5 0.85 1 2 3 0.6 1

Другие IGBT... AP10N70P-A, AP10N70R-A, AP10N70S, AP10N70W, AP10P10GH-HF, AP10P10GJ-HF, AP11N50I, 2SK3285, IRFZ44, 2SK3288, 2SK3289, 2SK3290, 2SK3304, 2SK3307, 2SK3310, 2SK3314, 2SK3378