AP13N50I-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP13N50I-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP13N50I-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP13N50I-HF даташит

 ..1. Size:96K  ape
 ap13n50i-hf.pdf pdf_icon

AP13N50I-HF

AP13N50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedize

 7.1. Size:57K  ape
 ap13n50r-hf.pdf pdf_icon

AP13N50I-HF

AP13N50R-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedize

 7.2. Size:58K  ape
 ap13n50w.pdf pdf_icon

AP13N50I-HF

AP13N50W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 7.3. Size:158K  ape
 ap13n50r.pdf pdf_icon

AP13N50I-HF

AP13N50R-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP13N50 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3310, 2SK3314, 2SK3378, AP1203AGMT-HF, AP1332GEU-HF, AP1332GEV-HF, AP1333GU, AP1334GEU-HF, P55NF06, AP13N50R-HF, AP13N50W, AP13P15GH-HF, AP13P15GJ-HF, AP13P15GP-HF, AP13P15GS-HF, AP1430GEU6-HF, AP14S50S-HF