Справочник MOSFET. AP13N50I-HF

 

AP13N50I-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP13N50I-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP13N50I-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
ap13n50i-hf.pdfpdf_icon

AP13N50I-HF

AP13N50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedize

 7.1. Size:57K  ape
ap13n50r-hf.pdfpdf_icon

AP13N50I-HF

AP13N50R-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedize

 7.2. Size:58K  ape
ap13n50w.pdfpdf_icon

AP13N50I-HF

AP13N50WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowon-resistance

 7.3. Size:158K  ape
ap13n50r.pdfpdf_icon

AP13N50I-HF

AP13N50R-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP13N50 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS

 

 
Back to Top

 


 
.