AP13N50I-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP13N50I-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP13N50I-HF
AP13N50I-HF Datasheet (PDF)
ap13n50i-hf.pdf

AP13N50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedize
ap13n50r-hf.pdf

AP13N50R-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedize
ap13n50w.pdf

AP13N50WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowon-resistance
ap13n50r.pdf

AP13N50R-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP13N50 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest
Другие MOSFET... 2SK3310 , 2SK3314 , 2SK3378 , AP1203AGMT-HF , AP1332GEU-HF , AP1332GEV-HF , AP1333GU , AP1334GEU-HF , IRFB4115 , AP13N50R-HF , AP13N50W , AP13P15GH-HF , AP13P15GJ-HF , AP13P15GP-HF , AP13P15GS-HF , AP1430GEU6-HF , AP14S50S-HF .
History: BL4N80-P | 2SJ218 | WSR80P06
History: BL4N80-P | 2SJ218 | WSR80P06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614