AP18N20GS-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP18N20GS-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AP18N20GS-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP18N20GS-HF даташит

 ..1. Size:102K  ape
 ap18n20gp-hf ap18n20gs-hf.pdf pdf_icon

AP18N20GS-HF

AP18N20GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 170m Fast Switching Characteristic ID 18A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G TO-22

 5.1. Size:172K  ape
 ap18n20gs.pdf pdf_icon

AP18N20GS-HF

AP18N20GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 170m Fast Switching Characteristic ID 18A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP18N20 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

 6.1. Size:99K  ape
 ap18n20gh-hf ap18n20gj-hf.pdf pdf_icon

AP18N20GS-HF

AP18N20GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200V D Low On-resistance RDS(ON) 170m Fast Switching Characteristics ID 18A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D

 6.2. Size:155K  ape
 ap18n20gi.pdf pdf_icon

AP18N20GS-HF

AP18N20GI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 170m Fast Switching Characteristic ID 18A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, G D low on-resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP15T20GS-HF, AP16N50I-HF, AP16N50W, AP18N20AGS-HF, AP18N20GH-HF, AP18N20GI, AP18N20GJ-HF, AP18N20GP-HF, IRFZ46N, AP18N50W, AP18P10AGH-HF, AP18P10AGJ-HF, AP18P10GH, AP18P10GJ, AP18P10GI, AP18P10GK-HF, AP18P10GM-HF