Справочник MOSFET. AP18P10GK-HF

 

AP18P10GK-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP18P10GK-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP18P10GK-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  ape
 ap18p10gk-hf.pdf pdf_icon

AP18P10GK-HF

AP18P10GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 160mS Fast Switching Characteristic ID -3.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAP18P10 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to

 5.1. Size:172K  ape
 ap18p10gk.pdf pdf_icon

AP18P10GK-HF

AP18P10GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 160mS Fast Switching Characteristic ID -3.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAP18P10 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to

 6.1. Size:174K  ape
 ap18p10gh.pdf pdf_icon

AP18P10GK-HF

AP18P10GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -12AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-r

 6.2. Size:169K  ape
 ap18p10gm.pdf pdf_icon

AP18P10GK-HF

AP18P10GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 180mD Fast Switching Characteristic ID -2.7AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAP18P10 series are

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.