AP2301AGN-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP2301AGN-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP2301AGN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.097 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2301AGN-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2301AGN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  ape
 ap2301agn-hf.pdf pdf_icon

AP2301AGN-HF

AP2301AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 97m Surface Mount Device ID - 3.3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast switching,l

 5.1. Size:93K  ape
 ap2301agn.pdf pdf_icon

AP2301AGN-HF

AP2301AGNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 97mD Surface Mount Device ID - 3.3ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resistance and cost-effec

 7.1. Size:1798K  cn apm
 ap2301ai.pdf pdf_icon

AP2301AGN-HF

AP2301AI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2301AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-3.3A DS DR

 8.1. Size:93K  ape
 ap2301gn.pdf pdf_icon

AP2301AGN-HF

AP2301GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 130mD Surface Mount Device ID - 2.6ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resistance and cost-effec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP20T03GH-HF , AP20T03GJ-HF , AP20T03GT-HF , AP20T15GH-HF , AP20T15GI-HF , AP20T15GP-HF , AP22N13GH-HF , AP22T03GH-HF , 5N60 , AP2301BGN-HF , AP2301GN-HF , AP2301N-HF , AP2302AGN-HF , AP2302GN-HF , AP2303GN-HF , AP2304AGN-HF , AP2304GN-HF .

History: SLP60R190S2 | FQD13N10L

 

 
Back to Top

 


 
.