AP2302GN-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP2302GN-HF
Маркировка: N2*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для AP2302GN-HF
AP2302GN-HF Datasheet (PDF)
ap2302gn-hf.pdf
AP2302GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2A RoHS CompliantSSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Dlow on-resistanc
ap2302gn.pdf
AP2302GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2ASSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Dlow on-resistance and cost-effectiven
ap2302n-hf.pdf
AP2302N-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 64m Surface Mount Package ID 3.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resista
ap2302agn.pdf
AP2302AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface Mount Package ID 4.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAP2302A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the l
ap2302agn-hf.pdf
AP2302AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface mount package ID 4.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resist
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918