AP2304GN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2304GN-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP2304GN-HF Datasheet (PDF)
ap2304gn-hf.pdf

AP2304GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25V Small package outline RDS(ON) 117mD Surface mount package ID 2.7A RoHS Compliant & Halogen-FreeSSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Dl
ap2304gn.pdf

AP2304GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25VD Small package outline RDS(ON) 117m Surface mount package ID 2.7AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, lo
ap2304gn.pdf

AP2304GNwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC Conve
ap2304agn.pdf

AP2304AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Package Outline RDS(ON) 117m Surface Mount Device ID 2.5AS RoHS CompliantSOT-23GDDescriptionAP2304A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possibl
Другие MOSFET... AP2301AGN-HF , AP2301BGN-HF , AP2301GN-HF , AP2301N-HF , AP2302AGN-HF , AP2302GN-HF , AP2303GN-HF , AP2304AGN-HF , STP80NF70 , AP2305AGN-HF , AP2305BGN-HF , AP2305CGN-HF , AP2305GN-HF , AP2305N-HF , AP2306AGEN-HF , AP2306AGN-HF , AP2306CGN-HF .
History: SI9945BDY | NVTFS002N04C
History: SI9945BDY | NVTFS002N04C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor