AP2305BGN-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2305BGN-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2305BGN-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2305BGN-HF даташит

 ..1. Size:94K  ape
 ap2305bgn-hf.pdf pdf_icon

AP2305BGN-HF

AP2305BGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 65m D Surface Mount Device ID -4.2A RoHS Compliant S SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistan

 7.1. Size:2104K  cn apm
 ap2305bi.pdf pdf_icon

AP2305BGN-HF

AP2305BI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2305BI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-4.2A DS D R

 8.1. Size:59K  ape
 ap2305agn.pdf pdf_icon

AP2305BGN-HF

AP2305AGN Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 80m D Surface Mount Device ID - 3.2A S SOT-23 G Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G , low on-resistance and cos

 8.2. Size:96K  ape
 ap2305gn.pdf pdf_icon

AP2305BGN-HF

AP2305GN Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 65m Surface Mount Device ID - 3.7A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2301GN-HF, AP2301N-HF, AP2302AGN-HF, AP2302GN-HF, AP2303GN-HF, AP2304AGN-HF, AP2304GN-HF, AP2305AGN-HF, STP80NF70, AP2305CGN-HF, AP2305GN-HF, AP2305N-HF, AP2306AGEN-HF, AP2306AGN-HF, AP2306CGN-HF, AP2306CGTN-HF, AP2306GN-HF