AP2307GN-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP2307GN-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP2307GN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2307GN-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2307GN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  ape
ap2307gn-hf.pdfpdf_icon

AP2307GN-HF

AP2307GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -16V Small Package Outline RDS(ON) 60mD Surface Mount Device ID - 4A RoHS Compliant & Halogen-FreeSSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G

 6.1. Size:64K  ape
ap2307gn.pdfpdf_icon

AP2307GN-HF

AP2307GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -16V Small Package Outline RDS(ON) 60mD Surface Mount Device ID - 4ASSOT-23GDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, low on-resistance andGcost-effe

 8.1. Size:1032K  cn apm
ap2307ai.pdfpdf_icon

AP2307GN-HF

AP2307AI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2307AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-7A DS DR

 8.2. Size:1505K  cn apm
ap2307mi.pdfpdf_icon

AP2307GN-HF

AP2307MI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2307MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-7A DS DR

Другие MOSFET... AP2305CGN-HF , AP2305GN-HF , AP2305N-HF , AP2306AGEN-HF , AP2306AGN-HF , AP2306CGN-HF , AP2306CGTN-HF , AP2306GN-HF , 10N65 , 2SK3779-01R , 2SK3793 , 2SK3794 , 2SK3794-Z , 2SK385 , 2SK386 , 2SK3863 , 2SK3864 .

History: AM1963PE | MC08N005S | SDF130JAB-D | NCEP018N60D | 75N75L-TF1-T | SDF320JDA | AOT11N60

 

 
Back to Top

 


 
.