AP2309GN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2309GN-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP2309GN-HF Datasheet (PDF)
ap2309gn-hf.pdf

AP2309GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 75mD Surface Mount Device ID - 3.7A RoHS CompliantSSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, low on-resistanc
ap2309gn.pdf

AP2309GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 75mD Surface Mount Device ID - 3.7ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, low on-resistance andGcost-effect
ap2309gen.pdf

AP2309GENHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID - 4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2309 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the
ap2309gen-hf.pdf

AP2309GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID - 4.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAP2309 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: STM6708 | APT47N65BC3G | UF840KL-TA3-R | IRL630A | DMN3020LK3 | AOD472 | IXFP18N65X2
History: STM6708 | APT47N65BC3G | UF840KL-TA3-R | IRL630A | DMN3020LK3 | AOD472 | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560