AP2310GK-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2310GK-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для AP2310GK-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2310GK-HF даташит

 ..1. Size:49K  ape
 ap2310gk-hf.pdf pdf_icon

AP2310GK-HF

AP2310GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m S Fast Switching Characteristic ID 4.1A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC

 7.1. Size:56K  ape
 ap2310gg-hf.pdf pdf_icon

AP2310GK-HF

AP2310GG-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, S rug

 7.2. Size:94K  ape
 ap2310gn-hf.pdf pdf_icon

AP2310GK-HF

AP2310GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 3A S RoHS Compliant SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely e

 7.3. Size:68K  ape
 ap2310gn.pdf pdf_icon

AP2310GK-HF

AP2310GN Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V Small Package Outline RDS(ON) 90m D Surface Mount Device ID 3A S SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3936, AP2308GEN-HF, AP2309AGN-HF, AP2309GEN-HF, AP2309GN-HF, AP2310AGN-HF, AP2310CGN-HF, AP2310GG-HF, IRF9640, AP2310GN-HF, AP2311GK-HF, AP2311GN-HF, AP2312GN, AP2313GN-HF, AP2314GN-HF, AP2315GEN, AP2316GN-HF