Справочник MOSFET. AP2310GN-HF

 

AP2310GN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2310GN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2310GN-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2310GN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
 ap2310gn-hf.pdf pdf_icon

AP2310GN-HF

AP2310GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 3AS RoHS CompliantSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely e

 6.1. Size:68K  ape
 ap2310gn.pdf pdf_icon

AP2310GN-HF

AP2310GNPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS 60V Small Package Outline RDS(ON) 90m DSurface Mount Device ID 3A SSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible o

 7.1. Size:56K  ape
 ap2310gg-hf.pdf pdf_icon

AP2310GN-HF

AP2310GG-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Srug

 7.2. Size:49K  ape
 ap2310gk-hf.pdf pdf_icon

AP2310GN-HF

AP2310GK-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2308GEN-HF , AP2309AGN-HF , AP2309GEN-HF , AP2309GN-HF , AP2310AGN-HF , AP2310CGN-HF , AP2310GG-HF , AP2310GK-HF , 8N60 , AP2311GK-HF , AP2311GN-HF , AP2312GN , AP2313GN-HF , AP2314GN-HF , AP2315GEN , AP2316GN-HF , AP2317GN-HF .

History: KP737V | SI3457CDV | SQJ401EP

 

 
Back to Top

 


 
.