Справочник MOSFET. 2N6659-LCC4

 

2N6659-LCC4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N6659-LCC4
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: LCC4
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6659-LCC4 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:89K  vishay
 2n6659-2.pdf pdf_icon

2N6659-LCC4

2N6659, 2N6659-2www.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Military QualifiedVDS (V) 35 Low On-Resistence: 1.3 RDS(on) () at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold: 1.7 VConfiguration Single Low Input Capacitance: 35 pF Fast Switching Speed: 8 ns Low Input and Output LeakageTO-205ADBENEFITS(TO-39) Guarant

 8.1. Size:71K  semelab
 2n6659x.pdf pdf_icon

2N6659-LCC4

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N6659X Switching Regulators Converters Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage 20V ID TC = 25C Drain Current 1.4A ID TC = 100C Drain Current 1.0A IDM1 Pulsed Drain Current 3A PD TC = 25C Power Dissipation 6.25W

 8.2. Size:18K  semelab
 2n6659.pdf pdf_icon

2N6659-LCC4

2N6659MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNEL8.89 (0.35)ENHANCEMENT MODE9.40 (0.37)7.75 (0.305)8.51 (0.335)MOS TRANSISTOR4.19 (0.165)4.95 (0.195)0.89max.FEATURES(0.035)12.70(0.500)7.75 (0.305)min.8.51 (0.335) Switching Regulatorsdia. Converters5.08 (0.200)typ. Motor Drivers2.542(0.100)1 30.66 (0.026)1.14 (0.045

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N5045 , 2N5484 , 2N5485 , 2N5486 , 2N6656 , 2N6657 , 2N6658 , 2N6659 , IRF630 , 2N6659-SM , 2N6660 , 2N6660JAN , 2N6660JANTX , 2N6660JANTXV , 2N6660-LCC4 , 2N6660-SM , 2N6661 .

History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13

 

 
Back to Top

 


 
.