Справочник MOSFET. AP2321GN-HF

 

AP2321GN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2321GN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2321GN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  ape
ap2321gn-hf.pdfpdf_icon

AP2321GN-HF

AP2321GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID -3.1AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDescription DAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, low

 6.1. Size:147K  ape
ap2321gn.pdfpdf_icon

AP2321GN-HF

AP2321GNHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID -3.1AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDescription DAP2321 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the low

 6.2. Size:847K  cn vbsemi
ap2321gn.pdfpdf_icon

AP2321GN-HF

AP2321GNwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23

 9.1. Size:94K  ape
ap2328gn-hf.pdfpdf_icon

AP2321GN-HF

AP2328GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 60m Surface Mount Device ID 4AS Halogen Free & RoHS Compliant ProductSOT-23 GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.