Справочник MOSFET. AP2325GEN-HF

 

AP2325GEN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2325GEN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2325GEN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
ap2325gen-hf.pdfpdf_icon

AP2325GEN-HF

AP2325GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID - 3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGcombination of fast switching,

 5.1. Size:147K  ape
ap2325gen.pdfpdf_icon

AP2325GEN-HF

AP2325GENHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID - 3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGcombination of fast switching,

 6.1. Size:93K  ape
ap2325geu6-hf.pdfpdf_icon

AP2325GEN-HF

AP2325GEU6-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Simple Drive Requirement BVDSS -20VDD Small Package Outline RDS(ON) 145mG Surface Mount Device ID -1.8ADDSOT-363 RoHS Compliant & Halogen-FreeDDescriptionAP2325 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology

 9.1. Size:94K  ape
ap2328gn-hf.pdfpdf_icon

AP2325GEN-HF

AP2328GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 60m Surface Mount Device ID 4AS Halogen Free & RoHS Compliant ProductSOT-23 GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.