AP2325GEN-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2325GEN-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2325GEN-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2325GEN-HF даташит

 ..1. Size:59K  ape
ap2325gen-hf.pdfpdf_icon

AP2325GEN-HF

AP2325GEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID - 3A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G combination of fast switching,

 5.1. Size:147K  ape
ap2325gen.pdfpdf_icon

AP2325GEN-HF

AP2325GEN Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID - 3A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G combination of fast switching,

 6.1. Size:93K  ape
ap2325geu6-hf.pdfpdf_icon

AP2325GEN-HF

AP2325GEU6-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Simple Drive Requirement BVDSS -20V D D Small Package Outline RDS(ON) 145m G Surface Mount Device ID -1.8A D D SOT-363 RoHS Compliant & Halogen-Free D Description AP2325 series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology

 9.1. Size:94K  ape
ap2328gn-hf.pdfpdf_icon

AP2325GEN-HF

AP2328GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 60m Surface Mount Device ID 4A S Halogen Free & RoHS Compliant Product SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to G achieve the lowest possible

Другие IGBT... AP2316GN-HF, AP2317GN-HF, AP2318AGEN-HF, AP2318GEN-HF, AP2319GN-HF, AP2321GN-HF, AP2323GN-HF, AP2324GN-HF, IRF840, AP2326GN-HF, AP2327GN-HF, AP2328GN-HF, AP2329GN-HF, AP2330GN-HF, AP2331GN-HF, AP2332GEN-HF, AP2332GN-HF