AP2531GY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP2531GY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5(2.5) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11(20) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70(90) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058(0.125) Ohm
Тип корпуса: SOT26
Аналог (замена) для AP2531GY
AP2531GY Datasheet (PDF)
ap2531gy.pdf

AP2531GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the low
ap2531gy-hf.pdf

AP2531GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced proces
ap2530gy.pdf

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAP2530 series are from Advanced Power innovated desig
ap2533gy-hf.pdf

AP2533GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 16VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 150mD1 Surface Mount Package ID 2.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 320mDescription ID -1.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced
Другие MOSFET... 2SK414 , 2SK415 , 2SK416L , 2SK416S , 2SK417 , AP2451GY-HF , AP2530AGY-HF , AP2530GY-HF , 12N60 , AP2532GY , AP2533GY-HF , AP2535GEY-HF , AP25N10GH-HF , AP25N10GJ-HF , AP25N10GP-HF , AP25N10GS-HF , AP25P15GI .
History: IRF7307Q | JMTP3008A | STB15N65M5
History: IRF7307Q | JMTP3008A | STB15N65M5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943