AP2533GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2533GY-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2(1.5) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15(17) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70(60) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15(0.32) Ohm
Тип корпуса: SOT26
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP2533GY-HF Datasheet (PDF)
ap2533gy-hf.pdf

AP2533GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 16VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 150mD1 Surface Mount Package ID 2.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 320mDescription ID -1.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced
ap2530gy.pdf

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAP2530 series are from Advanced Power innovated desig
ap2531gy.pdf

AP2531GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the low
ap2531gy-hf.pdf

AP2531GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced proces
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE
History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630