AP2605GY0-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2605GY0-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для AP2605GY0-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2605GY0-HF даташит

 ..1. Size:55K  ape
 ap2605gy0-hf.pdf pdf_icon

AP2605GY0-HF

AP2605GY0-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic D BVDSS -30V Lower Gate Charge RDS(ON) 80m Small Footprint & Low Profile Package ID -4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S S D Description D Advanced Power MOSFETs uti

 6.1. Size:130K  ape
 ap2605gy-hf.pdf pdf_icon

AP2605GY0-HF

AP2605GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS -30V S Lower Gate Charge RDS(ON) 80m D D Small Footprint & Low Profile Package ID - 4A G RoHS Compliant D SOT-26 D Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possi

 6.2. Size:207K  ape
 ap2605gy.pdf pdf_icon

AP2605GY0-HF

AP2605GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS -30V S Lower Gate Charge RDS(ON) 80m D D Small Footprint & Low Profile Package ID - 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-26 D Description AP2605 series are from Advanced Power innovated design and silicon D process

 9.1. Size:95K  ape
 ap2607agy-hf.pdf pdf_icon

AP2605GY0-HF

AP2607AGY-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID -5A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S S D Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques G to achieve the lowest possible

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP25N10GP-HF, AP25N10GS-HF, AP25P15GI, AP25P15GS-HF, AP2602GY, AP2603GY-HF, AP2604GY-HF, AP2605GY, CS150N03A8, AP2606AGY-HF, AP2606GY-HF, AP2607AGY-HF, AP2607GY-HF, AP2608AGK-HF, AP2608AGY-HF, AP2608GY, AP2609GY-HF