Справочник MOSFET. AP2608AGK-HF

 

AP2608AGK-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2608AGK-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.92 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2608AGK-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  ape
ap2608agk-hf.pdfpdf_icon

AP2608AGK-HF

AP2608AGK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 150V Lower Gate Charge RDS(ON) 1.5 Fast Switching Characteristic ID 0.92AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theSbest combination of fast switc

 6.1. Size:57K  ape
ap2608agy-hf.pdfpdf_icon

AP2608AGK-HF

AP2608AGY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic D BVDSS 150V Lower Gate Charge RDS(ON) 1.5 Small Footprint & Low Profile Package ID 0.78AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSSDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesGto achieve

 8.1. Size:58K  ape
ap2608gy.pdfpdf_icon

AP2608AGK-HF

AP2608GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Fast Switching Characteristic BVDSS 150VD Lower Gate Charge RDS(ON) 2.6D Small Footprint & Low Profile Package ID 0.57AGDSOT-26 DDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the lowest possible on-resistance, ex

 9.1. Size:95K  ape
ap2607agy-hf.pdfpdf_icon

AP2608AGK-HF

AP2607AGY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID -5AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSSDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesGto achieve the lowest possible

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HAF1002 | APL602J | TK3A60DA | BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.