AP2608AGY-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2608AGY-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для AP2608AGY-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2608AGY-HF даташит

 ..1. Size:57K  ape
 ap2608agy-hf.pdf pdf_icon

AP2608AGY-HF

AP2608AGY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic D BVDSS 150V Lower Gate Charge RDS(ON) 1.5 Small Footprint & Low Profile Package ID 0.78A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S S D Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques G to achieve

 6.1. Size:90K  ape
 ap2608agk-hf.pdf pdf_icon

AP2608AGY-HF

AP2608AGK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 150V Lower Gate Charge RDS(ON) 1.5 Fast Switching Characteristic ID 0.92A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the S best combination of fast switc

 8.1. Size:58K  ape
 ap2608gy.pdf pdf_icon

AP2608AGY-HF

AP2608GY RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Fast Switching Characteristic BVDSS 150V D Lower Gate Charge RDS(ON) 2.6 D Small Footprint & Low Profile Package ID 0.57A G D SOT-26 D Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, ex

 9.1. Size:95K  ape
 ap2607agy-hf.pdf pdf_icon

AP2608AGY-HF

AP2607AGY-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID -5A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S S D Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques G to achieve the lowest possible

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2604GY-HF, AP2605GY, AP2605GY0-HF, AP2606AGY-HF, AP2606GY-HF, AP2607AGY-HF, AP2607GY-HF, AP2608AGK-HF, AO4407, AP2608GY, AP2609GY-HF, AP2609GYT-HF, AP2610GY-HF, AP2611GYT-HF, AP2612GY-HF, AP2613GY-HF, AP2613GYT-HF