Справочник MOSFET. AP2609GYT-HF

 

AP2609GYT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2609GYT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2609GYT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
ap2609gyt-hf.pdfpdf_icon

AP2609GYT-HF

AP2609GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -11.3AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDdesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

 5.1. Size:115K  ape
ap2609gyt.pdfpdf_icon

AP2609GYT-HF

AP2609GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -11.3AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withDthe best combination of fast switching, ruggedized device de

 6.1. Size:59K  ape
ap2609gy-hf.pdfpdf_icon

AP2609GYT-HF

AP2609GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Simple Drive Requirement BVDSS -20VDD Small Package Outline RDS(ON) 57mG Surface Mount Device ID - 5.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26 DDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast swit

 9.1. Size:95K  ape
ap2607agy-hf.pdfpdf_icon

AP2609GYT-HF

AP2607AGY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID -5AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSSDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesGto achieve the lowest possible

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.