AP2610GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2610GY-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT26
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP2610GY-HF Datasheet (PDF)
ap2610gy-hf.pdf

AP2610GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Fast Switching Characteristic BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mD Small Footprint & Low Profile Package ID 3.5AGD Halogen Free & RoHS Compliant ProductSOT-26 DDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto ach
ap2611gyt-hf.pdf

AP2611GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d
ap2612gy-hf.pdf

AP2612GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 6AGD RoHS CompliantDSOT-26DescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto achieve the lowest possible on-resistanc
ap2611gy-hf.pdf

AP2611GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -100V Small Package Outline RDS(ON) 500m Surface Mount Device ID - 1.4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDDescriptionDAP2611 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve t
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: ASDM3080KQ | CHM5P03PAGP | SMG2329P | IPP60R099CP | WMJ90N60C4 | DMG4466SSSL | QM2401V
History: ASDM3080KQ | CHM5P03PAGP | SMG2329P | IPP60R099CP | WMJ90N60C4 | DMG4466SSSL | QM2401V



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor