AP2610GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2610GY-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT26
Аналог (замена) для AP2610GY-HF
AP2610GY-HF Datasheet (PDF)
ap2610gy-hf.pdf

AP2610GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Fast Switching Characteristic BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mD Small Footprint & Low Profile Package ID 3.5AGD Halogen Free & RoHS Compliant ProductSOT-26 DDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto ach
ap2611gyt-hf.pdf

AP2611GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d
ap2612gy-hf.pdf

AP2612GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 6AGD RoHS CompliantDSOT-26DescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto achieve the lowest possible on-resistanc
ap2611gy-hf.pdf

AP2611GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -100V Small Package Outline RDS(ON) 500m Surface Mount Device ID - 1.4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDDescriptionDAP2611 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve t
Другие MOSFET... AP2606GY-HF , AP2607AGY-HF , AP2607GY-HF , AP2608AGK-HF , AP2608AGY-HF , AP2608GY , AP2609GY-HF , AP2609GYT-HF , P0903BDG , AP2611GYT-HF , AP2612GY-HF , AP2613GY-HF , AP2613GYT-HF , AP2614GY-HF , AP2615GEY-HF , AP2615GY-HF , AP2616GY-HF .
History: 2SK2967 | LSH50R160HT | 2SK3013 | RQ3E080GN | WFP4N60 | JCS86N25ABT
History: 2SK2967 | LSH50R160HT | 2SK3013 | RQ3E080GN | WFP4N60 | JCS86N25ABT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor