AP2611GYT-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP2611GYT-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: PMPAK3X3
Аналог (замена) для AP2611GYT-HF
AP2611GYT-HF Datasheet (PDF)
ap2611gyt-hf.pdf

AP2611GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d
ap2611gy-hf.pdf

AP2611GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -100V Small Package Outline RDS(ON) 500m Surface Mount Device ID - 1.4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDDescriptionDAP2611 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve t
ap2612gy-hf.pdf

AP2612GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 6AGD RoHS CompliantDSOT-26DescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto achieve the lowest possible on-resistanc
ap2615gy-hf.pdf

AP2615GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic D BVDSS -30V Lower Gate Charge RDS(ON) 52m Small Footprint & Low Profile Package ID -5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDDescriptionDAP2615 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology
Другие MOSFET... AP2607AGY-HF , AP2607GY-HF , AP2608AGK-HF , AP2608AGY-HF , AP2608GY , AP2609GY-HF , AP2609GYT-HF , AP2610GY-HF , 5N65 , AP2612GY-HF , AP2613GY-HF , AP2613GYT-HF , AP2614GY-HF , AP2615GEY-HF , AP2615GY-HF , AP2616GY-HF , AP2622GY-HF .
History: BUK6D72-30E | IXFR36N50P | HM50N20D | BUK6D81-80E
History: BUK6D72-30E | IXFR36N50P | HM50N20D | BUK6D81-80E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a