Справочник MOSFET. AP2613GY-HF

 

AP2613GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2613GY-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2613GY-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  ape
ap2613gy-hf.pdfpdf_icon

AP2613GY-HF

AP2613GY-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic D BVDSS -20V Lower Gate Charge RDS(ON) 37m Small Footprint & Low Profile Package ID - 6.2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs u

 6.1. Size:56K  ape
ap2613gyt-hf.pdfpdf_icon

AP2613GY-HF

AP2613GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d

 9.1. Size:56K  ape
ap2611gyt-hf.pdfpdf_icon

AP2613GY-HF

AP2611GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d

 9.2. Size:96K  ape
ap2612gy-hf.pdfpdf_icon

AP2613GY-HF

AP2612GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 6AGD RoHS CompliantDSOT-26DescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto achieve the lowest possible on-resistanc

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STB55NF06L-1 | RU30106L | ME80N08A-G | APT12057B2LL | KQD1P50 | SI1021R | SSM6K407TU

 

 
Back to Top

 


 
.