Справочник MOSFET. AP2613GY-HF

 

AP2613GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2613GY-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP2613GY-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2613GY-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  ape
 ap2613gy-hf.pdf pdf_icon

AP2613GY-HF

AP2613GY-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic D BVDSS -20V Lower Gate Charge RDS(ON) 37m Small Footprint & Low Profile Package ID - 6.2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs u

 6.1. Size:56K  ape
 ap2613gyt-hf.pdf pdf_icon

AP2613GY-HF

AP2613GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d

 9.1. Size:56K  ape
 ap2611gyt-hf.pdf pdf_icon

AP2613GY-HF

AP2611GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d

 9.2. Size:96K  ape
 ap2612gy-hf.pdf pdf_icon

AP2613GY-HF

AP2612GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 6AGD RoHS CompliantDSOT-26DescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto achieve the lowest possible on-resistanc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2608AGK-HF , AP2608AGY-HF , AP2608GY , AP2609GY-HF , AP2609GYT-HF , AP2610GY-HF , AP2611GYT-HF , AP2612GY-HF , 13N50 , AP2613GYT-HF , AP2614GY-HF , AP2615GEY-HF , AP2615GY-HF , AP2616GY-HF , AP2622GY-HF , AP2623GY , AP2625GY .

History: TK32A12N1 | AOTF280A60L | AON7788 | TPW65R075DFD | AOW10N65 | SWN2N70D | BL80N20-W

 

 
Back to Top

 


 
.