AP2613GYT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2613GYT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

Аналог (замена) для AP2613GYT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2613GYT-HF даташит

 ..1. Size:56K  ape
 ap2613gyt-hf.pdf pdf_icon

AP2613GYT-HF

AP2613GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fast switching, ruggedized device d

 6.1. Size:55K  ape
 ap2613gy-hf.pdf pdf_icon

AP2613GYT-HF

AP2613GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic D BVDSS -20V Lower Gate Charge RDS(ON) 37m Small Footprint & Low Profile Package ID - 6.2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S S D Description D Advanced Power MOSFETs u

 9.1. Size:56K  ape
 ap2611gyt-hf.pdf pdf_icon

AP2613GYT-HF

AP2611GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fast switching, ruggedized device d

 9.2. Size:96K  ape
 ap2612gy-hf.pdf pdf_icon

AP2613GYT-HF

AP2612GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 6A G D RoHS Compliant D SOT-26 Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques D to achieve the lowest possible on-resistanc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2608AGY-HF, AP2608GY, AP2609GY-HF, AP2609GYT-HF, AP2610GY-HF, AP2611GYT-HF, AP2612GY-HF, AP2613GY-HF, RFP50N06, AP2614GY-HF, AP2615GEY-HF, AP2615GY-HF, AP2616GY-HF, AP2622GY-HF, AP2623GY, AP2625GY, AP2626GY-HF