AP2622GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2622GY-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.52 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: SOT26
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP2622GY-HF Datasheet (PDF)
ap2622gy-hf.pdf

AP2622GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD1 Low Gate Charge D2 BVDSS 50V Small Package Outline RDS(ON) 1.8G1 G2 Surface Mount Package ID 520mA RoHS CompliantS2S1DescriptionD2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toS1achieve the lowest possible on-resistance, extre
ap2622gy.pdf

AP2622GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS 50VS1D1 Small Package Outline RDS(ON) 1.8G2 Surface Mount Package ID 520mAS2 RoHS Compliant SOT-26 G1DescriptionD1D2AP2622 series are from Advanced Power innovateddesign and silicon process technology to achieve theG1 G2
ap2623gy-hf.pdf

AP2623GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Low On-resistance RDS(ON) 170mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest poss
ap2625gy-hf.pdf

AP2625GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 185mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-Free G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: IXTA10N60P | NTZD3155CT1G | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SFT1450 | WMP15N60C4 | SMIRF20N65T8TL
History: IXTA10N60P | NTZD3155CT1G | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SFT1450 | WMP15N60C4 | SMIRF20N65T8TL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor