AP2625GY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP2625GY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
Тип корпуса: SOT26
Аналог (замена) для AP2625GY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP2625GY даташит
ap2625gy.pdf
AP2625GY RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D2 D1 Low Gate Drive RDS(ON) 185m Surface Mount Package ID - 2A G2 G1 S2 S1 Description D2 S1 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques D1 to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and G2
ap2625gy-hf.pdf
AP2625GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D2 Low Gate Charge BVDSS -30V S1 D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 185m G2 Surface Mount Package ID - 2A S2 SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest
ap2623gy-hf.pdf
AP2623GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge BVDSS -30V S1 D1 Low On-resistance RDS(ON) 170m G2 Surface Mount Package ID - 2A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 G1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest poss
ap2622gy-hf.pdf
AP2622GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D1 Low Gate Charge D2 BVDSS 50V Small Package Outline RDS(ON) 1.8 G1 G2 Surface Mount Package ID 520mA RoHS Compliant S2 S1 Description D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S1 achieve the lowest possible on-resistance, extre
Другие IGBT... AP2613GY-HF, AP2613GYT-HF, AP2614GY-HF, AP2615GEY-HF, AP2615GY-HF, AP2616GY-HF, AP2622GY-HF, AP2623GY, STF13NM60N, AP2626GY-HF, AP2732GK, AP2761I-A, AP2761I-H, AP2761I-H-HF, AP2761P-A, AP2761R-A, AP2761S-A-HF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945








