AP30P10GP-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP30P10GP-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP30P10GP-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30P10GP-HF даташит

 ..1. Size:94K  ape
 ap30p10gp-hf.pdf pdf_icon

AP30P10GP-HF

AP30P10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedi

 5.1. Size:147K  ape
 ap30p10gp.pdf pdf_icon

AP30P10GP-HF

AP30P10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP30P10 series are from Advanced Power innovat

 6.1. Size:93K  ape
 ap30p10gs.pdf pdf_icon

AP30P10GP-HF

AP30P10GS RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 6.2. Size:94K  ape
 ap30p10gs-hf.pdf pdf_icon

AP30P10GP-HF

AP30P10GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggediz

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2R803AGMT-HF, AP2R803GH-HF, AP2R803GMT-HF, AP2RA04GMT-HF, AP30N30W, AP30N30WI, AP30P10GH-HF, AP30P10GI, 50N06, AP30P10GS, AP30T03GH-HF, AP30T10GH-HF, AP30T10GI-HF, AP30T10GK-HF, AP30T10GM-HF, AP30T10GP-HF, AP30T10GS-HF