Справочник MOSFET. AP4002P

 

AP4002P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4002P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4002P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ape
 ap4002p ap4002s.pdf pdf_icon

AP4002P

AP4002S/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowDSTO-263

 8.1. Size:60K  ape
 ap4002h j.pdf pdf_icon

AP4002P

AP4002H/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2AGSDescriptionGAP4002 series are specially designed as chopper regulator, DC/DC converter DSTO-251(J)and power drive application. The APEC MOSFET provid

 8.2. Size:94K  ape
 ap4002i-hf.pdf pdf_icon

AP4002P

AP4002I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4002 series are specially designed as main switching devices forGDSuniversal 90~265VAC off-line AC/DC co

 8.3. Size:107K  ape
 ap4002t.pdf pdf_icon

AP4002P

AP4002TRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 400mAGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient andcost-effec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF7807PBF-1 | 7788 | HM50N15 | XP152A12COMR | IPP65R150CFD | 2SJ360 | TPM1012ER3

 

 
Back to Top

 


 
.