AP4002P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4002P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP4002P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4002P даташит

 ..1. Size:184K  ape
 ap4002p ap4002s.pdf pdf_icon

AP4002P

AP4002S/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G the best combination of fast switching, ruggedized device design, low D S TO-263

 8.1. Size:60K  ape
 ap4002h j.pdf pdf_icon

AP4002P

AP4002H/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2A G S Description G AP4002 series are specially designed as chopper regulator, DC/DC converter D S TO-251(J) and power drive application. The APEC MOSFET provid

 8.2. Size:94K  ape
 ap4002i-hf.pdf pdf_icon

AP4002P

AP4002I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4002 series are specially designed as main switching devices for G DS universal 90 265VAC off-line AC/DC co

 8.3. Size:107K  ape
 ap4002t.pdf pdf_icon

AP4002P

AP4002T RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 400mA G S Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3990W, AP3R303GMT-HF, AP3R604AGH-HF, AP3R604GH-HF, AP3R604GMT-HF, AP4002H, AP4002I-HF, AP4002J, 5N65, AP4002S, 2N3819, 2SK427, 2SK429S, 2SK429L, 2SK439, 2SK443, 2SK444