FRE160D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FRE160D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 700 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO258AA
FRE160D Datasheet (PDF)
fre160.pdf
FRE160D, FRE160R,FRE160H41A, 100V, 0.050 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 41A, 100V, RDS(on) = 0.050TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
Другие MOSFET... FK25SM-5 , FK25SM-6 , FK30SM-5 , FK30SM-6 , FK7KM-12 , FK7SM-12 , FK7UM-12 , FK7VS-12 , IRF3710 , FRE160H , FRE160R , FRE260D , FRE260H , FRE260R , FRE264D , FRE264H , FRE264R .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918