Справочник MOSFET. 2SK511

 

2SK511 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK511
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm
   Тип корпуса: TO126

 Аналог (замена) для 2SK511

 

 

2SK511 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  hitachi
2sk511.pdf

2SK511

 9.2. Size:179K  hitachi
2sk513.pdf

2SK511
2SK511

"2SK513""2SK513""2SK513"

 9.3. Size:206K  hitachi
2sk512.pdf

2SK511
2SK511

 9.4. Size:276K  inchange semiconductor
2sk512.pdf

2SK511
2SK511

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK512FEATURESDrain Current : I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.65(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top