AP40N03GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP40N03GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP40N03GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40N03GP даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap40n03gp.pdf pdf_icon

AP40N03GP

AP40N03GP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 17m Fast Switching Characteristic ID 40A G D TO-220 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-r

 ..2. Size:831K  cn vbsemi
 ap40n03gp.pdf pdf_icon

AP40N03GP

AP40N03GP www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.010 at VGS = 10 V 55 30 25 nC 0.018 at VGS = 4.5 V 45 D TO-220AB G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise note

 0.1. Size:94K  ape
 ap40n03gp-hf.pdf pdf_icon

AP40N03GP

AP40N03GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 17m Fast Switching Characteristic ID 40A RoHS Compliant & Halogen-Free G TO-220 D S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 6.1. Size:126K  ape
 ap40n03gs.pdf pdf_icon

AP40N03GP

AP40N03GS RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOS FET Low Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 17m Fast Switching Characteristic ID 40A G D S TO-263 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4034ASGYT-HF, AP4034GH-HF, AP4034GM-HF, AP4034GMT-HF, AP4034GYT-HF, AP4036AGYT-HF, AP4085I, AP4085W, 75N75, AP40N03GS, AP40P03GH, AP40P03GI-HF, AP40P03GJ, AP40P03GP, AP40T03GH, AP40T03GI, AP40T03GJ