AP40T03GI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP40T03GI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP40T03GI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40T03GI даташит

 ..1. Size:97K  ape
 ap40t03gi.pdf pdf_icon

AP40T03GI

AP40T03GI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D D Low Gate Charge BVDSS 30V Single Drive Requirement RDS(ON) 25m Lower On-resistance ID 28A G G S S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and

 0.1. Size:96K  ape
 ap40t03gi-hf.pdf pdf_icon

AP40T03GI

AP40T03GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 30V Single Drive Requirement RDS(ON) 25m Lower On-resistance ID 28A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device de

 6.1. Size:214K  ape
 ap40t03gj.pdf pdf_icon

AP40T03GI

AP40T03GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 25m Fast Switching ID 28A G S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D TO-252(H) S designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista

 6.2. Size:62K  ape
 ap40t03gp.pdf pdf_icon

AP40T03GI

AP40T03GS/P Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 25m Fast Switching ID 28A G G RoHS Compliant S S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4085W, AP40N03GP, AP40N03GS, AP40P03GH, AP40P03GI-HF, AP40P03GJ, AP40P03GP, AP40T03GH, IRFZ46N, AP40T03GJ, AP40T03GP, AP40T03GS, AP40T10GH-HF, AP40T10GI-HF, AP40T10GP-HF, AP40T10GR, AP4224AGM