AP4224LGM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4224LGM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4224LGM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4224LGM-HF даташит

 0.1. Size:74K  ape
 ap4224lgm-hf-pre.pdf pdf_icon

AP4224LGM-HF

AP4224LGM-HF Preliminary Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 20V D2 D2 D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m D1 Dual N MOSFET Package ID 10A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer D2 D1 with the best combination of

 5.1. Size:226K  ape
 ap4224lgm.pdf pdf_icon

AP4224LGM-HF

AP4224LGM Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 20V D2 D2 D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 24m D1 Dual N MOSFET Package ID 7.1A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP4224 series are from Advanced Power innovated design and D2 D1 silicon process

 8.1. Size:95K  ape
 ap4224gm-hf.pdf pdf_icon

AP4224LGM-HF

AP4224GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m D1 Dual N MOSFET Package ID 10A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combinat

 8.2. Size:96K  ape
 ap4224gm.pdf pdf_icon

AP4224LGM-HF

AP4224GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 10A G2 RoHS Compliant S2 G1 SO-8 S1 Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP40T03GP, AP40T03GS, AP40T10GH-HF, AP40T10GI-HF, AP40T10GP-HF, AP40T10GR, AP4224AGM, AP4224GM, AOD4184A, AP4226AGM, AP4226BGM-HF, AP4226GM, AP4228GM, AP4230GM-HF, AP4232AGM, AP4232BGM-HF, AP4232GM-HF