AP4232AGM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4232AGM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4232AGM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4232AGM даташит

 ..1. Size:178K  ape
 ap4232agm.pdf pdf_icon

AP4232AGM

AP4232AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 23m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switching, ruggedized devi

 8.1. Size:169K  ape
 ap4232gm.pdf pdf_icon

AP4232AGM

AP4232GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 22m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free S2 G1 SO-8 S1 Description AP4232 series are fro

 8.2. Size:93K  ape
 ap4232bgm-hf.pdf pdf_icon

AP4232AGM

AP4232BGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 22m Fast Switching Characteristic ID 7.6A Halogen Free & RoHS Compliant Product D2 D2 D1 Description D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G2 S2 designer with the best combination o

 8.3. Size:207K  ape
 ap4232gm-hf.pdf pdf_icon

AP4232AGM

AP4232GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 22m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8A G2 RoHS Compliant S2 G1 SO-8 S1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4224AGM, AP4224GM, AP4224LGM-HF, AP4226AGM, AP4226BGM-HF, AP4226GM, AP4228GM, AP4230GM-HF, IRFZ44N, AP4232BGM-HF, AP4232GM-HF, AP42T03GP, AP4405GM, AP4407GM-HF, AP4407GP, AP4407GS, AP4407I-HF