AP4232GM-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4232GM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4232GM-HF
AP4232GM-HF Datasheet (PDF)
ap4232gm-hf.pdf
AP4232GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 22mD1D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8AG2 RoHS CompliantS2G1SO-8S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switchi
ap4232gm.pdf
AP4232GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 22mD1D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8AG2 RoHS Compliant & Halogen-FreeS2G1SO-8S1DescriptionAP4232 series are fro
ap4232agm.pdf
AP4232AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 23mD1D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8AG2S2G1SO-8S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switching,ruggedized devi
ap4232bgm-hf.pdf
AP4232BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 22m Fast Switching Characteristic ID 7.6A Halogen Free & RoHS Compliant ProductD2D2D1Description D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG2S2designer with the best combination o
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918