Справочник MOSFET. AP4411GM

 

AP4411GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4411GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4411GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  ape
ap4411gm.pdfpdf_icon

AP4411GM

AP4411GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -30V DDLow On-resistance D RDS(ON) 25m DFast Switching ID -8.2A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 0.1. Size:92K  ape
ap4411gm-hf.pdfpdf_icon

AP4411GM

AP4411GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 25mD RoHS Compliant & Halogen-Free ID -8.2AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugged

 9.1. Size:67K  ape
ap4412gm.pdfpdf_icon

AP4411GM

AP4412GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 33mDD Fast Switching ID 7AG RoHS CompliantSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized devi

 9.2. Size:95K  ape
ap4413gm-hf.pdfpdf_icon

AP4411GM

AP4413GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VDDD Low On-resistance RDS(ON) 30mD Fast Switching Characteristic ID -7.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 3SK291 | CS3100TH | AP4407GM | SI7720DN | AP4455GMT-HF

 

 
Back to Top

 


 
.