Справочник MOSFET. AP4415GM

 

AP4415GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4415GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4415GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  ape
ap4415gm.pdfpdf_icon

AP4415GM

AP4415GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -35V DDLow On-resistance D RDS(ON) 32m DFast Switching Characteristic ID -7.3A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best

 7.1. Size:99K  ape
ap4415gh ap4415gj.pdfpdf_icon

AP4415GM

AP4415GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35VD Low On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID -24AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialSTO-252(H)surface mount applications and suited for low voltage

 7.2. Size:101K  ape
ap4415gh-hf ap4415gj-hf.pdfpdf_icon

AP4415GM

AP4415GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35VD Low On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID -24AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surfaceGDSmount applications a

 9.1. Size:70K  ape
ap4411gm.pdfpdf_icon

AP4415GM

AP4411GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -30V DDLow On-resistance D RDS(ON) 25m DFast Switching ID -8.2A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STH80N05 | 3SK113 | BSH114 | AOD1N60 | BSC079N03SG | IRFS634 | 2SK641

 

 
Back to Top

 


 
.