AP4417GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4417GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP4417GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4417GJ даташит

 ..1. Size:99K  ape
ap4417gh ap4417gj.pdfpdf_icon

AP4417GJ

AP4417GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -35V Simple Drive Requirement RDS(ON) 75m Fast Switching Characteristic ID -15A G RoHS Compliant S G Description D S TO-252(H) The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and

 9.1. Size:70K  ape
ap4411gm.pdfpdf_icon

AP4417GJ

AP4411GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 25m D Fast Switching ID -8.2A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 9.2. Size:67K  ape
ap4412gm.pdfpdf_icon

AP4417GJ

AP4412GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 33m D D Fast Switching ID 7A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devi

 9.3. Size:95K  ape
ap4413gm-hf.pdfpdf_icon

AP4417GJ

AP4413GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V D D D Low On-resistance RDS(ON) 30m D Fast Switching Characteristic ID -7.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

Другие IGBT... AP4411GM, AP4412GM, AP4413GM, AP4415GH, AP4415GJ, AP4415GM, AP4416GH, AP4417GH, 2N7000, AP4418GH, AP4418GJ, AP4419GH, AP4419GJ, AP4420GH, AP4420GJ, AP4423GM-HF, AP4424AGM