AP4419GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4419GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP4419GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4419GH даташит

 ..1. Size:63K  ape
ap4419gh ap4419gj.pdfpdf_icon

AP4419GH

AP4419GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -35V Simple Drive Requirement RDS(ON) 38m Fast Switching Characteristic ID -25A G RoHS Compliant S Description G D S TO-252(H) The TO-252 package is universally preferred for all commercial- industrial surface mount application

 9.1. Size:70K  ape
ap4411gm.pdfpdf_icon

AP4419GH

AP4411GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 25m D Fast Switching ID -8.2A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 9.2. Size:67K  ape
ap4412gm.pdfpdf_icon

AP4419GH

AP4412GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 33m D D Fast Switching ID 7A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devi

 9.3. Size:95K  ape
ap4413gm-hf.pdfpdf_icon

AP4419GH

AP4413GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V D D D Low On-resistance RDS(ON) 30m D Fast Switching Characteristic ID -7.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

Другие IGBT... AP4415GH, AP4415GJ, AP4415GM, AP4416GH, AP4417GH, AP4417GJ, AP4418GH, AP4418GJ, 7N65, AP4419GJ, AP4420GH, AP4420GJ, AP4423GM-HF, AP4424AGM, AP4424GM, AP4425GM, AP4425GO