Справочник MOSFET. AP4419GJ

 

AP4419GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4419GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4419GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  ape
ap4419gh ap4419gj.pdfpdf_icon

AP4419GJ

AP4419GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -35V Simple Drive Requirement RDS(ON) 38m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS CompliantSDescription GDSTO-252(H)The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount application

 9.1. Size:70K  ape
ap4411gm.pdfpdf_icon

AP4419GJ

AP4411GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -30V DDLow On-resistance D RDS(ON) 25m DFast Switching ID -8.2A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 9.2. Size:67K  ape
ap4412gm.pdfpdf_icon

AP4419GJ

AP4412GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 33mDD Fast Switching ID 7AG RoHS CompliantSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized devi

 9.3. Size:95K  ape
ap4413gm-hf.pdfpdf_icon

AP4419GJ

AP4413GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VDDD Low On-resistance RDS(ON) 30mD Fast Switching Characteristic ID -7.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RQA0008RXDQS | AP4455GEH-HF | 3SK143Q | AOB462L

 

 
Back to Top

 


 
.